기존의 비정질 실리콘 반도체 (a-Si:H)의 성능 한계를 극복하고 높은 전자 이동도와 낮은 누설 전류, 그리고 대면적에서의 균일성(uniformity) 확보가 가능한 산화물 반도체 기술이 대두되고 있다. 산화물 반도체 소재는 3.1 eV 이상의 큰 밴드갭으로 가시광 영역에서 빛의 흡수가 일어나지 않고 투과되어 투명한 전자소자 제작이 가능하다. 또한, 저온 또는 상온 공정이 가능하여 유연한 전자소자 제작이 가능하다. 산화물 반도체 소재는 일반적으로 다중성분으로 구성되어 ZnO, SnO, InGaO(ZnO)m 등 재료들이 주로 사용되며, 주요 공정기술로서 스퍼트링 기술이 사용된다. 이러한 투명 산화물 반도체 기술의 응용은 주로 디스플레이, 터치 스크린, 태양전지 등에 적용되므로 이와 관련된 내용을 중심으로 기술들을 소개한다.